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混合奈米晶体LED设计可大幅提高效率“名仕亚洲网站”

发布日期:2020-12-07 00:20浏览次数:
本文摘要:LED裸晶(a)与混和InGaN/GaNNH-LED(b)的SEM影象图,说明该元器件构造具有奈米晶体或迫不得已米晶体的形状。研究人员们在生产制造具有CdSe/ZnS关键/殻NC铺满的深蓝色InGaN/GaN奈米孔洞LED时,她们还认真观察并剖析到的另一种实际效果是诱发高效率降低在很多流过电流强度时将在积极地区造成过的载子流动性,降低了该元器件的总体高效率。

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我国研究人员们应用一种混和奈米晶体的方式,在渗氮铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)高清蓝光LED构造的奈米孔洞中铺满奈米晶体,据信可大幅度提高白光LED的高效率。  来源于南京大学(NJU)的研究人员们在发布于《应用于物理快报》(AppliedPhysicsLetters)的研究中觉得,提高颜色转换高效率(CCE)的重要不尽相同合理地的非电磁波辐射串联谐振能量转移,而不是在结合高清蓝光InGaN/GaNLED与往上转换原材料(如磷或乃至半导体材料奈米晶体(NC)等)时经常再次出现的电磁波辐射泵。  非电磁波辐射共震动能转换(NRET)铸就强悍的激子-激子藕合。利用载子流动性的方式,研究人员寻找NRET必须免受因中介公司灯源射线与转换流程造成 的耗损,并且以非电磁波辐射和串联谐振的方法将动能转换并串联谐振至具有高些量子科技亲率的奈米晶体。

  研究人员应用金属材料分析化学液相堆积法,在c平面图图案化蓝色宝石底材上生长发育InGaN/GaNMQW外延性圆晶,生产制造出有具有深蓝色奈米孔洞(NH)构造的NH-LED,每一个LED的合理地总面积为300300m^2。  利用硬UV煅烧奈米印压影视技术性,在积极层上进行图案化,搭建直徑为300nm、间隔大概600nm的六边形奈米孔洞晶格常数。

然后,研究人员将CdSe/ZnS关键/壳奈米晶体水溶液的液体填充料于该元器件上。  LED裸晶(a)与混和InGaN/GaNNH-LED(b)的SEM影象图,说明该元器件构造具有奈米晶体或迫不得已米晶体的形状。

更进一步放缩为(c)和(d)。图1(e)说明外露的六边形奈米孔洞晶格常数,而图1(f)则说明CdSe/ZnS关键/壳5nm奈米晶体以10nm直徑紧密PCB的SEM图。

  研究人员们在生产制造具有CdSe/ZnS关键/殻NC铺满的深蓝色InGaN/GaN奈米孔洞LED时,她们还认真观察并剖析到的另一种实际效果是诱发高效率降低在很多流过电流强度时将在积极地区造成过的载子流动性,降低了该元器件的总体高效率。  利用剖析做为液压控制系统的LED裸晶以及混和NH-LED中的InGaN/GaNMQW载流子浓度值,研究人员寻找混和NH-LED中的载子浓度值可利用NRET降低,进而诱发高效率升高。

除此之外,研究人员仍在混和NH-LED中认真观察到奈米晶体射线的量子效率为44%,较迫不得已米孔洞图案设计的混和LED高些2倍。在这类混合结构中,她们注意到NH-MQW层的激子根据NRET地下隧道的机遇更高,而NRET衰减系数率则分布均匀地较奈米孔洞MQWLED裸晶变慢3-4倍。


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